一个涉及IGBT的电路，关断瞬间的高脉冲电压为什么不是烧坏IGBT却总是驱动芯片被烧坏？

2025-01-29 05:55:53

推荐回答（4个）

回答1：

还真没见过这么大的IGBT。关断的瞬间续流二极管将流过很大的电流，引起发射极电位的抬高，如果驱动线联接点（主要是发射极端）距离发射极较远，或驱动电源的隔离不好或对地电容过大，有可能使电位反击到驱动芯片，引起驱动芯片击穿。幸好驱动芯片先穿，否则IGBT都不保。

回答2：

2SD315AI-33,隔离电压才是6000VAC，关断时产生的高压可能会将其损坏。

回答3：

测量一下D极和G极间的电容。从其电容量可以间接了解关断瞬间在G极出现一个高压。如何抑制这一高压是解决这个问题的关键。先用模拟法测量关断瞬间G极对驱动电路的破坏作用电压，真对测量值采取电路保护设计。

回答4：

驱动才好坏，有一阵我老坏2110（MOS的驱动），干脆不再用了。