电力电子器件的损耗包括哪些种类,每种损耗在什么情况下占主要成分

1、开关器件，在switch的过程中的损耗，recovery什么的

2、 开关器件在导通时的损耗（器件具体损耗要看手册并且根据提供者给出的软件仿真测试））

3 、除了开关器件，电力二极管在导通和恢复过程中也有很大的能量损耗

4 、开关器件（IGBT mosfet什么的）的电容和电感能量转化造成的电能损失，整体上来说就是 Won Woff WD WC WL

on的就是导通时的，off开关过程中的，D是二极管的，C L是电感电容的。

扩展资料：

各种电力电子器件都具有导电和阻塞两种工作特性。功率二极管是一个双端（阴极和阳极）器件。器件的电流是由伏安特性决定的。除了两个终端之间的电压变化，阳极电流不能控制，所以它被称为一个无法控制的装置。通用晶闸管是一个三端器件。门信号可以控制器件的传导，但不能控制器件的关闭。

它可以关闭晶闸管，功率晶体管和其他设备。门信号不仅可以控制器件的导通，还可以控制器件的关断。它被称为全控设备。

后两种器件具有控制灵活、电路简单、开关速度快等优点。广泛应用于整流、逆变、斩波电路中，是电机调速、发电机励磁、感应加热、电镀、电解供电、直送等电力电子器件的核心元件。这些装置不仅体积小、运行可靠，而且节能效果明显（一般可省10％～40％的电）。

通态损耗： 是电力电子器件功率损耗的主要成因
书上原话，《电力电子技术》王兆安第五版 第11页 2.1.1的第四小点

主要有开通、关断、通态损耗。另外，si的二极管有反向恢复损耗，sic SBD没有二极管的反向恢复损耗。在zvs的时候没有开通损耗，zcs的时候没有关断损耗。其中一般的器件来说关断损耗最大，通态损耗其次，开通损耗最小，这个是由于关断慢时间长，开通快，IV积分损耗小，通态损耗为rds,on和电流的平方，随温度变化会增大，你看几个IGBT或MOSFET的datasheet就知道了