G,S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时，G级残压电荷，或是静电累积的电荷，就会在gs直接形成电场，差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。本来信号撤离，需要ds关断，现在是导通，工作紊乱容易损坏mos管。
g级前串进来的电阻，对驱动电阻有影响。gs之间可以等效为一个电容，即驱动给串联的RC充电，R越大，充电越慢。建议看下mos管的驱动过程，了解米勒平台等等。
没有变化的,或者说变化不大.
G-S并电阻是为了保护MOS,从线路原理上说是不用加的,但实际的经验是要加的,一般是10K-56K,10K用得最多
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