三极管（npn）处于饱和状态时，集电极正偏，为什么电子还是能从B极移动到c极呢？能说明白的再加分。

三极管的电子走向是电子从发射极出发到达发射结后发射到基极，然后通过基极运输到集电结收集，最后达到集电极成为集电极电流。 当Vce=Vbe的时候，集电结上外加偏压=0，也就是临界饱和态，但势垒区中的自建电场能够完全收集到从基极运输过来的电子，集电极电流不会显著减小；但当Vce电压继续降低，集电结正偏，势垒区电场减弱，收集电子能力下降，输出电流迅速减小。（虽然正偏，但势垒电场还是有的，所以还是有电子收集能力，这就是为什么电子还能传输过去）

那岂不是越深度饱和即Vce越小（集电结正偏越厉害，势垒区电场减弱越明显，收集电子能力下降），电流越小吗？事实是在饱和状态下，Ic越大，Vce越小啊。与你说的Vce越小，电流越小相反啊
-------------你说的事实“在饱和状态下，Ic越大，Vce越小”，请问是在哪里看到的？怎么理解呢？
三极管是电流控制器件，始作俑者是IB，不是UCE电压在起作用的。放大状态时，集电结反偏，发射结正偏，这个外部条件使得Ic=βIb，成正比关系，，而Uce=Vcc-Rc*Ic得到的。

第一个讨论前提：假定Rc不变，减小Rb，增大Ib
逐步加大Ib，使得Ic继续增大，直到Vbe=Vce，集电结零偏，但是此刻发射结正偏，发射区电子继续向基区扩散，存在浓度梯度，集电结的内电场可以让处于基区的电子（在P区的身份是少数载流子）轻松飘逸到集电区去。所以Ic电流依然不会有太大变化。
继续加大Ib电流，更多的电子从发射区扩散到基区，然后扩散到集电区，形成更大一点的Ic，这个电流已经跟Ib不成比例了。这个电流导致一个更低的Uce。进入深度饱和状态。集电结开始正偏，此刻除了由于基区电子浓度梯度，继续向集电区扩散之外，还由于集电结的正偏，引起基区和集电区多数载流子的扩散，集电区的多数载流子电子也会向基区扩散，抵消一部分基区扩散到集电区的电子，因此Ic减小一点。处于一个动态平衡中。
第二个讨论前提：假定Rb不变，即Ib不变，增大Rc. 相当于Ib不变，负载线斜率减小，这个时候可以说直到进入临界饱和时Ic是不变的，过了临界饱和点，继续增大Rc，则Uce减小到使得Ubc>0，则集电结正偏，则集电区、基区多数载流子开始互相扩散，抵消基区向集电区扩散的电子。导致Ic变小一点。而且Ib,Ic之间不成比例了。

注意：分析问题的时候，需要确定一个量固定下来。分析另外一个量。不能两个同时变化。那样就乱套了。有些人问问题时就犯了这个错误。表述的问题不明白。

三极管（npn）处于饱和状态时，集电结正偏. (不是集电极正偏.)
即 基极电压高于集电极电压,因为NPN的管子基极是P,集电极是N ,
所以电流会从基极(P)流向集电极(N).